Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.pdaa.edu.ua:8080/handle/123456789/6127
Назва: Влияние особенностей структуры эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe на электрические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении
Автори: Мозоль, Петр Е.
Власенко, Александр И.
Гнатюк, Владимир А.
Копишинская, Елена П.
Ключові слова: фотопроводимость
наносекундное лазерное облучение
эпитаксиальные слои
точечные дефекты
Дата публікації: лис-1993
Опис: Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е., Сукач А.В., Копишинская Е.П., Лукьяненко А.В. Влияние особенностей структуры эпитакси-альных слоев CdxHg1-xTe на электрофизические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении. Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 28. № 11/12 С. 1820-1829.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.pdaa.edu.ua:8080/handle/123456789/6127
ISSN: 0015-3222
Розташовується у зібраннях:Підручники і посібники

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ФТП_1993_№11-12_статья.pdfВласенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е., Сукач А.В., Копишинская Е.П., Лукьяненко А.В. Влияние особенностей структуры эпитакси-альных слоев CdxHg1-xTe на электрофизические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении. Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 28. № 11/12 С. 1820-1829.11.09 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.