Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.pdaa.edu.ua:8080/handle/123456789/6127
Title: Влияние особенностей структуры эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe на электрические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении
Authors: Мозоль, Петр Е.
Власенко, Александр И.
Гнатюк, Владимир А.
Копишинская, Елена П.
Keywords: фотопроводимость
наносекундное лазерное облучение
эпитаксиальные слои
точечные дефекты
Issue Date: Nov-1993
Description: Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е., Сукач А.В., Копишинская Е.П., Лукьяненко А.В. Влияние особенностей структуры эпитакси-альных слоев CdxHg1-xTe на электрофизические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении. Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 28. № 11/12 С. 1820-1829.
URI: http://dspace.pdaa.edu.ua:8080/handle/123456789/6127
ISSN: 0015-3222
Appears in Collections:Підручники і посібники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ФТП_1993_№11-12_статья.pdfВласенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е., Сукач А.В., Копишинская Е.П., Лукьяненко А.В. Влияние особенностей структуры эпитакси-альных слоев CdxHg1-xTe на электрофизические и фотоэлектрические свойства при лазерном облучении. Физика и техника полупроводников. 1993. Т. 28. № 11/12 С. 1820-1829.11.09 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.