Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.pdaa.edu.ua:8080/handle/123456789/4418
Назва: Structure of poly(di-n-hexylsilane) in nanoporous materials
Інші назви: Structure of poly(di-n-hexylsilane) in nanoporous materials
Автори: Короткова, Ірина Валентинівна
Sakhno, T.V.
Drobit‘ko, I.K.
Sakhno, Yu.
Ostapenko, N.
Ключові слова: Nanoporous materials, poly(di-n-hexylsilanes), twist angle, oscillator strength, Kirkwood–Onzager constant
Дата публікації: 2010
Видавництво: Сhemical Physics
Серія/номер: ;V. 374. – P.90-103
Короткий огляд (реферат): In this work the effects of solvent polarity and conformation changing on the electronic characteristics of poly(di-n-hexylsilane) incorporated in the nanoporous materials are calculated. The dependence of energy levels of electronic-excited states of investigated compounds is analyzed as a function of the Si–Si–Si–Si twist angle and length of Si–Si and Si–C bonds. The possibility of complex formation between silicon atom of polymer and oxygen ions of nanoporous materials is shown.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.pdaa.edu.ua:8080/handle/123456789/4418
Розташовується у зібраннях:Міжнародні видання

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
korotkova2010-ChemPhys.pdf355.2 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.